Qualcomm声明:骁龙820散热和性能达标

10月29日消息，针对近期部分媒体有关骁龙820过热和性能报道，今天Qualcomm（美国高通公司）正式发表公开声明进行回应：骁龙820处理器所有的IP模块均实现了提升和增强，并将采用第二代14纳米制程工艺制造，骁龙820达到了公司全部设计指标。Qualcomm还强调，更为重要的是，骁龙820满足了OEM厂商对其终端散热和性能规格的要求。
据已经发布的信息，骁龙820处理器集成的各个功能性内核都实现了高度“优化”和深度“定制化”，有望在移动终端的计算、智能和连接方面建立全新标准。骁龙820处理器基于第二代14纳米FinFET工艺制程，集成高通第三代自主设计的首款定制64位Kryo CPU， Kryo拥有4个核心，每核支持最高达2.2GHz的处理速度。图形处理器是全新的Adreno 530 GPU，与Adreno 430相比，性能提升40%，功耗降低40%，且支持4K HEVC视频播放；此外，骁龙820处理器将首次搭载全新的14位Qualcomm Spectra ISP，同时支持高达三个摄像头（例如一个前置摄像头和两个后置摄像头），实现卓越的媲美数码单反相机的摄影与增强型计算机视觉。此外，全新架构的Hexagon 680 DSP，通过向量扩展，性能提升3倍，节能10倍，带来更高效的移动计算和更低功耗的体验。
　　连接方面，集成骁龙X12 LTE调制解调器，下行支持Cat 12，最高传输速度达600Mbps，上行支持Cat 13，最高传输速度高达150Mbps；能够支持三个频段的Wi-Fi，并借助Qualcomm Zeroth认知平台，智能选择最佳连接链路。 据悉，搭载骁龙820处理器的终端将于2016年一季度面市。